在硅片内部形成空腔是必须的。建议预先填满硅片上的一个开口。硅晶圆上形成一个开口并填充铝。然后在平面硅表面沉积氧化膜并进行高温退火。在退火过程的繁體中文翻譯

在硅片内部形成空腔是必须的。建议预先填满硅片上的一个开口。硅晶圆上形成

在硅片内部形成空腔是必须的。建议预先填满硅片上的一个开口。硅晶圆上形成一个开口并填充铝。然后在平面硅表面沉积氧化膜并进行高温退火。在退火过程中，铝原子扩散到周围的硅中。空腔代替了铝腔。专利日期:1994年3月22日美国纽约州阿蒙克国际商业机器公司
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在矽片內部形成空腔是必須的。<br><br>建議預先填滿矽片上的一個開口。<br><br>矽晶圓上形成一個開口並填充鋁。然後在平面矽表面沉積氧化膜並進行高溫退火。在退火過程中，鋁原子擴散到周圍的矽中。空腔代替了鋁腔。<br><br>專利日期:1994年3月22日美國紐約州阿蒙克國際商業機器公司
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在矽片內部形成空腔是必須的。<br><br>建議預先填滿矽片上的一個開口。<br><br>矽晶圓上形成一個開口並填充鋁。 然後在平面矽表面沉積氧化膜並進行高溫退火。 在退火過程中，鋁原子擴散到周圍的矽中。 空腔代替了鋁腔。<br><br>專利日期:1994年3月22日美國紐約州阿蒙克國際商業機器公司
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在矽片內部形成空腔是必須的。<br>建議預先填滿矽片上的一個開口。<br>矽晶圓上形成一個開口並填充鋁。然後在平面矽表面沉積氧化膜並進行高溫退火。在退火過程中，鋁原子擴散到周圍的矽中。空腔代替了鋁腔。<br>專利日期：1994年3月22日美國紐約州阿蒙克國際商業機器公司<br>
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