在微电子结构中，使用典型的工艺(通过掩膜选择性插入杂质和高温退火)来形

在微电子结构中，使用典型的工艺(通过掩膜选择性插入杂质和高温退火)来形成垂直接触到埋层是昂贵的、耗时的和复杂的。提出了利用激光熔化上覆层和高掺杂埋藏层的局部区域。杂质在液体(熔化)相中的极快扩散形成了均匀的、高度掺杂的垂直接触。一旦熔体再结晶，这个过程就会很快发生。专利日期:1993年7月20日美国纽约州阿蒙克国际商业机器公司

結果 (繁體中文) 1:

在微電子結構中，使用典型的工藝(通過掩膜選擇性插入雜質和高溫退火)來形成垂直接觸到埋層是昂貴的、耗時的和復雜的。

提出了利用激光熔化上覆層和高摻雜埋藏層的局部區域。

雜質在液體(熔化)相中的極快擴散形成了均勻的、高度摻雜的垂直接觸。一旦熔體再結晶，這個過程就會很快發生。

專利日期:1993年7月20日美國紐約州阿蒙克國際商業機器公司

結果 (繁體中文) 2:

在微電子結構中，使用典型的工藝(通過掩膜選擇性插入雜質和高溫退火)來形成垂直接觸到埋層是昂貴的、耗時的和複雜的。

提出了利用鐳射熔化上覆層和高摻雜埋藏層的局部區域。

雜質在液體(熔化)相中的極快擴散形成了均勻的、高度摻雜的垂直接觸。 一旦熔體再結晶，這個過程就會很快發生。

專利日期:1993年7月20日美國紐約州阿蒙克國際商業機器公司

結果 (繁體中文) 3:

在微電子結構中，使用典型的工藝（通過掩膜選擇性插入雜質和高溫退火）來形成垂直接觸到埋層是昂貴的、耗時的和複雜的。
提出了利用雷射熔化上覆層和高摻雜埋藏層的局部區域。
雜質在液體（熔化）相中的極快擴散形成了均勻的、高度摻雜的垂直接觸。一旦熔體再結晶，這個過程就會很快發生。
專利日期：1993年7月20日美國紐約州阿蒙克國際商業機器公司